Preparação de filmes ultrafinos de oxinitreto de silício por implantação de nitrogênio a baixas energias

dc.contributor.author	Krug, Cristiano	pt_BR
dc.contributor.author	Andrade, Jones de	pt_BR
dc.contributor.author	Salgado, Tania Denise Miskinis	pt_BR
dc.contributor.author	Stedile, Fernanda Chiarello	pt_BR
dc.contributor.author	Baumvol, Israel Jacob Rabin	pt_BR
dc.date.accessioned	2014-03-12T01:49:57Z	pt_BR
dc.date.issued	1998	pt_BR
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10183/88299	pt_BR
dc.format.mimetype	application/pdf	pt_BR
dc.language.iso	por	pt_BR
dc.relation.ispartof	Salão de Iniciação Científica (10. : 1998 : Porto Alegre). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 1998.	pt_BR
dc.rights	Open Access	en
dc.subject	Filmes finos dieletricos	pt_BR
dc.subject	Implantação de íons	pt_BR
dc.subject	Oxinitreto de silicio	pt_BR
dc.title	Preparação de filmes ultrafinos de oxinitreto de silício por implantação de nitrogênio a baixas energias	pt_BR
dc.type	Resumo publicado em evento	pt_BR
dc.contributor.event	Salão de Iniciação Científica (10. : 1998 set. 19-23 : UFRGS, Porto Alegre, RS).	pt_BR
dc.identifier.nrb	000223993	pt_BR
dc.subject.session	Física Experimental I	pt_BR
dc.subject.cnpq	Ciências exatas e da terra	pt_BR
dc.description.number	014	pt_BR
dc.type.origin	Nacional	pt_BR

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