Navegação Microeletrônica por Assunto "Capacitores MOS"
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Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC
(2017) [Tese]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta frequência e/ou alta temperatura. Além disso, é ...