Navegação Física por Autor "Maltez, Rogério Luis"
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Estudo de camadas superficiais de SiC e GaAsN sintetizadas por implantação iônica em Si e GaAs
Reis, Roberto Moreno Souza dos (2013) [Tese]Semicondutores de gap de banda grande possuem um vasto campo de aplicação na construção de dispositivos que necessitam operar em alta potência, em alta frequência e em ambientes hostis. Nesse trabalho apresentamos um estudo ... -
Estudos da formação, estabilidade e ordenamento da fase gamma FeSi 2 produzida pela técnica de implantação iônica
Maltez, Rogério Luis (1996) [Tese]No presente trabalho implantamos íons de Fe em amostras de Si que são subseqüentemente recristalizadas pela técnica Cristalização Epitaxial Induzida por Feixe de íons (IBIEC). Quatro técnicas de análise (RBS, Canalização, ... -
Medidas de alcances e estudos de estabilidade térmica do fotoresiste AZ1350 implantado com íons de antimonio, estanho e prata
Maltez, Rogério Luis (1993) [Dissertação]No presente trabalho implantamos Íons de Sb, Sn e Ag no fotoresiste AZ1350 (polímero novolak) e usamos a técnica de retroespalhamento de Rutherford a fim de estudar os seguintes asp ectos: a) alcances projetados dos Íons ... -
Síntese de SiC através de implantação iônica de carbono em SiO2/Si : influência da espessura da capa de SiO2 e de padrões de áreas finas produzidos por litografia
Ribas, Eduardo Garcia (2019) [Tese]Semicondutores de gap grande são capazes de operar em situações extremas, como em alta potência, alta frequência e em ambientes hostis e, portanto, são de grande interesse tecnológico. Carbeto de Silício (SiC) apresenta ... -
Síntese por feixe de íons de GaN-layer sobre GaAs
Coelho Júnior, Horácio (2018) [Tese]O Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de gap direto, motivo de numerosas pesquisas científicas, principalmente devido a sua importância na fabricação de dispositivos de alta potência e optoeletrônicas. Ligas de GaN ...