Propriedades eletrônicas do monocalcogenetos de Sm e de ligas do tipo Sm1-xMxS
dc.contributor.advisor | Iglesias, Jose Roberto | pt_BR |
dc.contributor.author | Strauch, Irene Maria Fonseca | pt_BR |
dc.date.accessioned | 2011-09-09T06:01:19Z | pt_BR |
dc.date.issued | 1981 | pt_BR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10183/31719 | pt_BR |
dc.description.abstract | Apresentamos um modelo teórico para explicar as tran sições de valéncia do Sm nas ligas Smi _ x M xS, onde M é um metal de transição (por ex. Y ou La), como uma função da concentração x. O sistema é descrito por um modelo de duas bandas: uma banda de largura nula e de energia E0 (o nível 4f do Sm) e uma banda de condução, a qual é tratada na aproximação do potencial coerente (CPA). Os elétrons 4f interagem entre si via uma repulsão coulombiana finita U, que separa a banda f em duas sub-bandas de energias E0 e Eo+U. Consi dera-se que as bandas f e de condução se hibridizam, sendo V o parâmetro de hibridização. Com este mo delo é possível obter uma transição continua de um estado funda mental não-magnético a um estado não magnético ou magnético, con forme se varia a razão U/V. A variação de valência como uma função da pressão nos monocalcogenetos de Sm (x = O) é também calculada. O modelo usa do é uma extensão do descrito acima, ao qual nOs incluimos uma repulsão coulombiana G entre elétrons f e de condução, mantendo finito o valor de U. Para diferentes valores de G/V obtemos tran sições de primeira ou de segunda ordem de um estado semicondutor a um estado metálico. A resistividade elétrica em ambas as fases é também calculada como uma função da temperatura e os re sultados teoricos obtidos estão em boa concordância com os experimentais. | pt_BR |
dc.description.abstract | We present a theoretical model to explain the valence transitions of Sm in Sm1-xMxS alloys, where M is a transition metal (e.g. Y or La) as a function of the concentration x. The system is described by a two-band model: a zero width band of energy E0 (the 4f-level of Sm) and a conduction band, which is treated in the coherent potencial approximation (CPA). The 4felectrons interact between them via a finite intra-atomic coulomb repulsion U, which splits the f-band in two sub-bands at energies E0 and Eo+U. The f -and conduction bands hybridize, being V the hybridization parameter. Within this model it is possible to obtain a continuous valence transition from a non- -magnetic to a non-magnetic or a magnetic ground-state, varying the ratio U/V. The change of valence as a function of pressure in the Sm monochalcogenides (x =0) is also computed. The model used is an extension of the one described above, in which we include a Coulomb repulsion G between f - and conduction electrons, preserving the finite value of U. For different values of G/V we obtain first or second order transitions from a semiconducting to a metallic state. The electrical resistivity in both fases as a function of temperature is also computed and the theoretical results obtained are in good agreement with the experimental ones. | en |
dc.format.mimetype | application/pdf | |
dc.language.iso | por | pt_BR |
dc.rights | Open Access | en |
dc.subject | Física da matéria condensada | pt_BR |
dc.subject | Compostos de valencia mista | pt_BR |
dc.subject | Suscetibilidade magnética | pt_BR |
dc.subject | Efeito mossbauer | pt_BR |
dc.subject | Raios X | pt_BR |
dc.subject | Medidas fisicas | pt_BR |
dc.subject | Metodos de funcoes de green | pt_BR |
dc.subject | Densidade de estados eletronicos | pt_BR |
dc.subject | Terras raras | pt_BR |
dc.subject | Altas temperaturas | pt_BR |
dc.subject | Pressao | pt_BR |
dc.subject | Estrutura de bandas | pt_BR |
dc.title | Propriedades eletrônicas do monocalcogenetos de Sm e de ligas do tipo Sm1-xMxS | pt_BR |
dc.type | Tese | pt_BR |
dc.identifier.nrb | 000264079 | pt_BR |
dc.degree.grantor | Universidade Federal do Rio Grande do Sul | pt_BR |
dc.degree.department | Instituto de Física | pt_BR |
dc.degree.program | Curso de Pós-Graduação em Física | pt_BR |
dc.degree.local | Porto Alegre, BR-RS | pt_BR |
dc.degree.date | 1981 | pt_BR |
dc.degree.level | doutorado | pt_BR |
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