Porosidade em filmes de InxGa1−xSb : influência da variação da corrente de irradiação

Abstract

Neste trabalho foi analisada a influência da variação da corrente de irradiação na formação de porosidade em quatro tipos de filmes semicondutores fabricados por magnetron sputtering. Tendo como base um substrato padrão de Si/SiO2, foram escolhidos para deposição filmes de InSb, GaSb, In0,5Ga0,5Sb e In0,4Ga0,6Sb, já conhecidos na literatura por sua eficácia na formação de poros perante irradiação. Após clivadas, quartetos de amostras foram sujeitos à irradiação iônica nas condições já conhecidas por provocarem a formação de poros nelas. Esse experimento se repetiu para cada quarteto com a variação de apenas um parâmetro: a corrente elétrica. Foram utilizados seis valores de correntes entre 200nA e 5μA. A análise dos resultados aconteceu com o uso da técnica Rutherford Backscattering Spectrometry. Através da definição de um parâmetro de porosidade P, foi possível relacionar porosidade e corrente de irradiação. Os resultados mostraram que a formação de porosidade encontra um máximo para correntes específicas.

This work analized the influence of the irradiation current variation in the formation of porosity in four types of semiconductor films made by magnetron sputtering. Above a common substrate of Si/SiO2, films of InSb, GaSb, In0,5Ga0,5Sb e In0,4Ga0,6Sb were chosen to be deposited, already known by their efficiency in nanoporous formation by irradiation. After cut, quartets of samples were exposed to ion irradiation in the known conditions of porous formation for them. This experiment was repeated for each quartet with the variation of only one parameter: the electric current. Six values of current were used between 200nA and 5μA. The analysis of the results were made by the Rutherford Backscattering Spectrometry technique. Through the definition of a new porosity parameter P it was possible to relate porosity and irradiation current. Results showed porosity formations have a maximum for specific currents.