Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato
dc.contributor.advisor | Balzaretti, Naira Maria | pt_BR |
dc.contributor.author | Brandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de Siqueira | pt_BR |
dc.date.accessioned | 2014-11-01T02:17:09Z | pt_BR |
dc.date.issued | 2007 | pt_BR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10183/105222 | pt_BR |
dc.description.abstract | Este trabalho está relacionado ao estudo sistemático da inserção de boro em filmes de diamante CVD (deposição química a vapor) através do substrato com o intuito de crescer filmes dopados com alta concentração de boro que passem da qualidade de isolante a semicondutor e, eventualmente, a supercondutor. Recentemente foi observado que, quando a concentração de boro no diamante CVD atinge valores elevados, este apresenta propriedades supercondutoras. Geralmente a incorporação de boro na estrutura do fi lme é obtida através de fonte gasosa (tóxica) no processo CVD. Propõe-se conceber um procedimento alternativo de incorporação de boro no diamante, em alta concentração. Para tal investigação foram testados alguns substratos compostos. Submeteu-se esse substrato a um polimento com pasta diamantada com o objetivo de ajudar a nucleação do filme, que cresce aderido ao substrato. A análise do filme resultante foi feita por: espectroscopia Raman, difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura (MEV), reação nuclear e, também, técnicas de análise de resistividade. Os resultados indicam a incorporação de boro pelo filme. O espectro Raman medido é semelhante ao encontrado na literatura, associado à incorporação de uma grande quantidade de boro (~1020átomoslcm3). O padrão de difração de raios X revela a presença de diamante, com um pico alargado, e ácido bórico, corroborando a presença de boro. Este composto é facilmente formado quando boro é exposto à atmosfera oxidante. Resultados de reação nuclear confirmam a incorporação de boro nos filmes de diamante. | pt_BR |
dc.format.mimetype | application/pdf | pt_BR |
dc.language.iso | por | pt_BR |
dc.rights | Open Access | en |
dc.subject | Filmes de diamante | pt_BR |
dc.subject | Boro | pt_BR |
dc.subject | Dopagem de semicondutores | pt_BR |
dc.subject | Deposicao de camadas por cvd | pt_BR |
dc.title | Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato | pt_BR |
dc.type | Trabalho de conclusão de graduação | pt_BR |
dc.identifier.nrb | 000647102 | pt_BR |
dc.degree.grantor | Universidade Federal do Rio Grande do Sul | pt_BR |
dc.degree.department | Instituto de Física | pt_BR |
dc.degree.local | Porto Alegre, BR-RS | pt_BR |
dc.degree.date | 2007 | pt_BR |
dc.degree.graduation | Física: Bacharelado | pt_BR |
dc.degree.level | graduação | pt_BR |
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TCC Física (455)